[发明专利]双极晶体管FINFET技术有效
| 申请号： | 200810131038.7 | 申请日： | 2008-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101369577A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | R·卡科施克;K·施吕菲尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L27/12;H01L29/72;H01L21/331;H01L21/82;H01L21/8249;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王忠忠 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 除其它内容外，本文论述了具有在衬底上的至少一个CMOS晶体管和在衬底上的至少一个鳍式双极晶体管的设备及制作设备的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 finfet 技术 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：覆盖在衬底上的至少一个CMOS晶体管；以及覆盖在所述衬底上的至少一个鳍式双极晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
