[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200810131166.1 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101359499A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 广濑雅庸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，即便在将布线间隔细小化的情况下，仍可确保读出电压，其具有：沿行方向和列方向配置有多个存储器单元的存储器阵列；以及与各列的存储器单元对应形成的多个位线，将上述多个位线分层化为主位线和副位线，上述主位线分散于多个布线层而形成，在同一布线层相邻的上述主位线彼此的间隔，比相邻的上述副位线彼此的间隔更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有：沿行方向和列方向配置有多个存储器单元的存储器阵列；以及与各列的存储器单元对应形成的多个位线，将上述多个位线分层化为主位线和副位线，上述主位线分散于多个布线层而形成，在同一布线层上相邻的上述主位线彼此的间隔，比相邻的上述副位线彼此的间隔更宽。
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