[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810131255.6 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101431101A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 金龙水;金俊基 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法。一种半导体器件晶体管包括：衬底，在衬底上的栅极，在衬底中形成并且在其间具有沟道区的源极/漏极区，和在沟道区之下形成并且具有与衬底不同的晶格常数的外延层。在沟道区之下形成具有与衬底材料不同的晶格常数的外延层，以对沟道区施加应力。因此，增加晶体管的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的栅极；在所述衬底中形成的源极/漏极区，其中在所述源极/漏极区之间形成沟道区；和在所述沟道区之下形成的外延层，其中所述外延层具有与所述衬底不同的晶格常数。
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