[发明专利]晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法有效
| 申请号： | 200810131951.7 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101620985A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 游岱恒;李志岳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法。本发明的晶边蚀刻设备包含有晶片防护掩模，且晶片防护掩模覆盖晶片的部分表面。晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域。前述晶片防护掩模包含有中央遮蔽区以及至少一晶边遮蔽区。中央遮蔽区全面覆盖晶片的中央区域，而晶边遮蔽区从中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖晶片的部分晶边区域，并且暴露出晶边区域的其余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 及其 相关 晶片 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶边蚀刻设备，包含有：晶片防护掩模，覆盖晶片的部分表面，其中该晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域，而该晶片防护掩模包含有：中央遮蔽区，全面覆盖该晶片的该中央区域；以及至少一晶边遮蔽区，从该中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖该晶片的部分该晶边区域，并且暴露出该晶边区域的其余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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