[发明专利]制造半导体存储器件的方法无效
| 申请号： | 200810132451.5 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101533776A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 孙玄洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体存储器件的方法，该方法可以保护隧道绝缘层免受蚀刻损伤，包括以下步骤：在半导体衬底上顺序地形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层和第二导电层；蚀刻第二导电层、介电层和第一导电层以形成栅极图案，第一导电层保留在栅极图案之间的隧道绝缘层上以防止隧道绝缘层被暴露；实施清洗工艺以除去在蚀刻步骤中产生的杂质；实施离子注入工艺以使保留在隧道绝缘层上的第一导电层单晶化；和实施氧化工艺以在栅极图案的顶部和侧壁上形成氧化物层，并将单晶化的第一导电层转变为绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上顺序地形成隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层、介电层和用于控制栅极的导电层；蚀刻所述用于控制栅极的导电层、所述介电层和所述用于浮置栅极的导电层以形成栅极图案，在所述栅极图案之间的隧道绝缘层上保留预定厚度的所述用于浮置栅极的导电层；实施离子注入工艺以在所述半导体衬底上形成源极/漏极区；和实施氧化工艺以在所述栅极图案的顶部和侧壁上形成氧化物层和将保留在所述栅极图案之间的所述用于浮置栅极的导电层转变为绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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