[发明专利]形成半导体器件双镶嵌图案的方法

摘要

一种形成半导体器件双镶嵌图案的方法，包括在形成沟槽的中间工艺中除去当构成双镶嵌图案的沟槽形成时所产生的角状物。因此，可完全除去在形成双镶嵌图案之后所实施的清洗工艺中由于角状物而产生的颗粒源。因此，可防止由于颗粒导致的接触电阻的增加，并且也可改善半导体器件成品率的降低。

主权项

1.一种形成半导体器件的双镶嵌图案的方法，所述方法包括：在其上形成有半导体器件的元件的半导体衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成接触孔；在所述绝缘层上和所述接触孔内形成钝化层；在所述钝化层上形成硬掩模图案，其中所述硬掩模图案暴露出所述接触孔；使用采用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模的第一蚀刻工艺，蚀刻所述钝化层的一部分和所述绝缘层的一部分以形成第一沟槽；使用采用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模的第二蚀刻工艺来蚀刻所述钝化层，其中所述钝化层填隙在所述接触孔内；使用采用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模的第三蚀刻工艺，蚀刻所述绝缘层的一部分以形成第二沟槽，由此形成包括所述第一沟槽和第二沟槽的第三沟槽；和除去所述第三硬掩模图案和所述钝化层。