[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 200810132694.9 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101626045A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 洪儒生;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 215316江苏省昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明太阳能电池的制造方法，太阳能电池的两电极层设于晶圆的同一侧，使另侧入射的太阳光不会被电极层遮蔽，以提升光电转换效率，且各电极层利用屏蔽层进行气相沉积制程成型，而不需要任何光罩的微影、蚀刻制程，当然也不需要高温制程而破坏了晶圆的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池至少包含有一晶圆以及极性相异的第一、第二电极层，其中，两电极层的接面部分利用气相沉积制程形成于该晶圆的同一侧，且两电极层间具有间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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