[发明专利]晶体形成方式及装置有效
| 申请号： | 200810132695.3 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101624723A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 蓝崇文;徐文庆;许松林;陈志慧;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 215316江苏省昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明晶体形成方式及装置，主要透过对坩埚底层施以局部高冷却方式，使液相原料的径向延伸方向形成多数的温度差异区，以控制各初成核的形成位置及生长方向，使各初成核向上成长而形成的完整多晶硅晶体具有较高的电钝性晶界以及单位横切面积晶界数量较少的特性；尤其，可进一步采用沿着初成核成长方向纵向切割的方式减少晶界，进而增加芯片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 形成 方式 装置 | ||
【主权项】：
1、一种晶体形成方式，利用局部高冷却方式，使液相原料的径向延伸方向形成复数的温度差异区，以控制各初成核的形成位置及生长方向，使各初成核向上成长而形成的完整多晶硅晶体具有较高的电钝性以及单位横切面积晶界数量较少的特性。
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