[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810133371.1 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101465321A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴相录;朴铉植;赵瑢泰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成多个包括钨电极的栅极图案，实施等离子体氧化工艺以在栅极图案的表面上形成覆盖层，在形成有覆盖层的衬底上形成蚀刻阻挡层，形成层间电介质层以填充栅极图案之间的间隙，和蚀刻栅极图案之间的层间电介质层以形成接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个栅极图案，每个栅极图案包括钨电极；通过实施等离子体氧化工艺，在所述栅极图案的表面上形成覆盖层；在所述覆盖层上形成蚀刻阻挡层；形成层间电介质层以填充所述栅极图案之间的间隙；和蚀刻所述栅极图案之间的所述层间电介质层以形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
