[发明专利]DMOS型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810134317.9 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101355103A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 白石尚宽 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及DMOS型半导体装置及其制造方法，通过形成不受栅极鸟嘴部的影响的稳定的源极层而实现特性的提高。从离子注入开口部(11)进行与基极层(2)相反的导电型的杂质元素的离子注入而在基极层(2)内形成比栅极鸟嘴部(6)的发生区域还横向扩展的源极形成限制层(5)，从离子注入开口部(11)进行与源极形成限制层(5)相同的导电型的杂质元素的离子注入，从而在源极形成限制层(5)内扩散形成源极层(4)。 | ||
| 搜索关键词： | dmos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DMOS型半导体装置，在从在形成于半导体表面上的分离氧化膜层上进行了图形形成的离子注入开口部进行杂质元素的离子注入而扩散形成基极层之后，从上述离子注入开口部进行作为相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成层薄的源极层，将上述基极层的扩散深度和上述源极层的扩散深度在表面部的差作为通道长而构成，其特征在于，具有从上述离子注入开口部进行与上述基极层相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成为层薄的源极形成限制层、和从上述离子注入开口部进行与上述源极形成限制层相同的导电型的杂质元素的离子注入而在上述源极形成限制层内扩散形成的源极层，上述源极形成限制层在上述基极层内作为比从形成于栅极氧化膜上的栅极部的端部向其下层区域扩展生成的栅极鸟嘴部的发生区域还横向扩展的扩散层形成。
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