[发明专利]电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810134326.8 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101350316A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅;水原秀树;五十岚优助;坂本则明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电路装置的制造方法，使用等离子体除去导电图案21表面上黏附的污染物，提高导电图案21和密封树脂28的粘附。通过选择地蚀刻导电箔10形成分离槽11，形成导电图案21。在导电图案21的规定位置安装半导体元件22A等电路元件，并和导电图案21电连接。通过自导电箔10上方照射等离子体除去分离槽11表面黏附的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：准备具有凹部和随后成为电极区域的凸部的导电箔的工序，从所述导电箔的凸部面向包含所述凹部内部在内的区域照射等离子，利用由所述凹部内部的侧面反射的等离子除去所述凹部内部附着的污染物质的工序；照射所述等离子时，在所述凹部的底面所述导电箔相互连接的状态下，进行所述等离子的照射，以防止由该等离子所引起的局部电位差的产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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