[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

摘要

由于远程等离子体清洁与成膜时不同，並非适合于等离子体激发的条件，因此局部地激发等离子体本身就比较困难，而且，在使用光的方法中，存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。用来解决这些问题的本案发明的概要是一种反复进行下述步骤的半导体集成电路装置的制造方法，即：在反应室内使用等离子体来激发反应气体以堆积所需的膜的步骤；以及向该反应室内导入在远程等离子体激发室内经过激发的清洁气体而在非等离子体激发环境下对该反应室进行远程等离子体清洁的步骤，其中，通过电容耦合型的等离子体激发系统，于反应室或用来进行反应室的排气的真空系统内生成局部等离子体，并对该等离子体的电气特性进行监控，以此检测出远程等离子体清洁的终点。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于包含以下步骤：(a)向具有第1等离子体激发系统的等离子体CVD装置的晶片处理室内导入第1晶片；(b)针对导入到所述晶片处理室内的所述第1晶片，通过所述第1等离子体激发系统来进行等离子体激发，以此执行等离子体CVD处理；(c)在所述步骤(b)之后，将所述第1晶片从所述晶片处理室内排出到外部；(d)在所述步骤(c)之后，对所述晶片处理室执行远程等离子体清洁；(e)向执行了所述远程等离子体清洁的所述晶片处理室内导入第2晶片；以及(f)针对导入到所述晶片处理室内的所述第2晶片，通过所述第1等离子体激发系统来进行等离子体激发，以此执行所述等离子体CVD处理，这里，所述步骤(d)包含以下的下位步骤：(d1)于设置在所述晶片处理室之外的远程等离子体产生室中，通过第2等离子体激发系统对清洁气体进行等离子体激发，并将经过激发的所述清洁气体移送到所述晶片处理室内；(d2)通过电容耦合型的第3等离子体激发系统，对所述清洁气体进行等离子体激发，以此使所述晶片处理室内或用来对所述晶片处理室进行排气的真空排气系统内生成局部等离子体；(d3)对所述局部等离子体的电气特性进行监控，以此检测出所述远程等离子体清洁的终点；以及(d4)根据所述下位步骤(d3)的结果，使所述远程等离子体清洁终止。