[发明专利]形成半导体器件的图案的方法有效
| 申请号： | 200810135493.4 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101399226A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 潘槿道 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成半导体器件的图案的方法，在所述方法中，分别执行形成用于对单元区域进行双重图案化的间隔物的步骤、以及形成对用于外围电路区域中的接垫的虚设图案进行限定的掩模图案的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 图案 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：限定半导体基板的单元区域和外围电路区域；在所述半导体基板上形成基层；在所述单元区域的基层上形成牺牲图案；在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物；移除所述牺牲图案以形成间隔物图案；在所述外围电路区域的基层上形成限定外围电路图案的掩模图案；以及使用所述间隔物图案和光阻图案对所述单元区域和所述外围电路区域中的基层图案化，以获得单元图案和外围电路图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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