[发明专利]升压电路和升压方法无效
| 申请号： | 200810135610.7 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101340144A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 大谷圭吾 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种升压电路，包括：施加以输入电压的升压电容器；施加以升压电压的平滑电容器；放电MOS晶体管，被构造成在升压操作时间段期间在放电操作中将所述升压电容器和所述平滑电容器相连接，以便在所述升压电容器中存储的电荷被放电至所述平滑电容器；以及充电MOS晶体管，被构造成在升压操作时间段期间在充电操作中将输入电压施加到所述升压电容器，以便对所述充电电容器进行充电。所述充电MOS晶体管的背栅和所述放电MOS晶体管的背栅被连接到公共节点，并且在充电操作和放电操作期间所述公共节点被连接到不同的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 升压 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种升压电路，包括：升压电容器，向所述升压电容器施加有输入电压；平滑电容器，向所述平滑电容器施加有升压电压；放电MOS晶体管，被构造成在升压操作时间段期间在放电操作中将所述升压电容器和所述平滑电容器相连接，以便所述升压电容器中存储的电荷被放电至所述平滑电容器；以及充电MOS晶体管，被构造成在所述升压操作时间段期间在充电操作中将所述输入电压施加到所述升压电容器，以便对所述充电电容器进行充电；其中，所述充电MOS晶体管的背栅和所述放电MOS晶体管的背栅被连接到公共节点，并且在所述充电操作和所述放电操作期间，所述公共节点被连接到不同的电压。
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