[发明专利]具有连接外部真空源的复合座体无效
申请号: | 200810135861.5 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101630652A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 黄钧鸿;刘尚达 | 申请(专利权)人: | 京元电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;H05K13/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是一种具有连接外部真空源的复合座体,主要是于座体上开设有正气压源入口、及真空源入口,并于座体上组设有气压缸、第一电磁阀、及第二电磁阀。其中,气压缸的活塞杆前端固设有吸嘴,当驱动第一电磁阀使其上不同的气压孔分别与正气压源入口连接,可使气压缸带动吸嘴前进或后退;又当驱动第二电磁阀使其上不同的通口分别与真空源入口或正气压源入口连接,可使吸嘴分别与真空源连接而产生负压得以吸取芯片、或与正气压源连接而产生正压得以吹离芯片。 | ||
搜索关键词: | 具有 连接 外部 真空 复合 | ||
【主权项】:
1.一种具有连接外部真空源的复合座体,其设置于一机台上,该机台包括一移动臂、及一承载台,该移动臂滑设于该机台上,并相对于该承载台作平移运动;其特征在于,该复合座体包括:一气压缸,其包括一连接口、一另一连接口、及一活塞杆;一吸嘴,其固设于该气压缸的该活塞杆前端,该吸嘴包括一气源衔接口;以及一座体,该气压缸设置于该座体上,该座体包括一第一电磁阀、一第二电磁阀、一正气压源入口、及一真空源入口;其中,该第一电磁阀包括有一第一气压孔、一第二气压孔、一第三气压孔、及一第四气压孔,该第一电磁阀的该第一气压孔与该第二气压孔相互连通,该第三气压孔与该第四气压孔相互连通,当该第一电磁阀驱动该第一气压孔移动至与该正气压源入口接合并连通时,该气压缸的该连接口是与该第一电磁阀的该第二气压孔对接连通,并以该正气压源入口的正气压推动该气压缸的该活塞杆前进,使该活塞杆移动趋近该承载台;其中,该第二电磁阀包括有一第一通口、及一第二通口,该第二电磁阀的该第一通口与该第二通口相互连通,当该第二电磁阀驱动该第一通口移动至与该真空源入口接合并连通时,该吸嘴的该气源衔接口是与该第二电磁阀的该第二通口对接连通,并以该真空源入口的负气压提供予该吸嘴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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