[发明专利]具有p型限制发射层的氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 200810138526.0 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101494265A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 叶孟欣;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，包含蓝宝石衬底、由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层、在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；p侧层由p型限制发射层、p型层及p型接触层依次层叠构成；p型限制发射层是由第一氮化铝铟镓、氮化铟镓、第二氮化铝铟镓依次层叠构成的一复合式半导体层；p型限制发射层分别与p型层及n侧层之上的发光层连接。p型限制发射层内能够提供高浓度的电洞载子(Holecarrier)，因而可提高氮化物发光二极管元件的发光效率并降低了其本身的能障高度(Barrier height)，进而降低其电阻值，增加其导电性，降低氮化物发光二极管元件的正向电压，因此本发明能够应用于发光效率要求更高的用途中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 限制 发射 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.具有p型限制发射层的氮化物发光二极管，包含：-蓝宝石衬底；-由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；-在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；其特征在于：p侧层由p型限制发射层、p型层及p型接触层依次层叠构成；p型限制发射层是由第一氮化铝铟镓、氮化铟镓、第二氮化铝铟镓依次层叠构成的一复合式半导体层；p型限制发射层分别与p型层及n侧层之上的发光层连接。
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