[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810144030.4 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355023A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 权田俊树 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法。该方法包括：在衬底上方形成抗蚀层；曝光所述抗蚀层，从而在所述抗蚀层上形成第一曝光图案和第二曝光图案，所述第二曝光图案用于形成一个或多个沟槽；将所述抗蚀层与显影液接触，从而形成与所述第一曝光图案相对应的具有开口的构图的抗蚀层，并且在所述构图的抗蚀层的表面层上形成与所述第二曝光图案相对应的一个或多个沟槽；以及在构图的抗蚀层上进行焙烧工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上方形成抗蚀层；曝光所述抗蚀层，从而在所述抗蚀层上形成第一曝光图案和第二曝光图案，所述第二曝光图案用于形成一个或多个沟槽；将所述抗蚀层与显影液接触，从而形成具有与所述第一曝光图案相对应的开口的构图的抗蚀层，并且在所述构图的抗蚀层的表面层上形成与所述第二曝光图案相对应的一个或多个沟槽，以及；在所述构图的抗蚀层上进行焙烧工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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