[发明专利]具有电阻器的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200810144566.6 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373765A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 辛镇铉;曹盛纯;金珉澈;崔升旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一种半导体器件及其制造方法中，该半导体器件包括基板，其包括第一区和第二区。至少一个第一栅极结构位于第一区中的基板上，该至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层。至少一个隔离结构位于第二区中的基板中，该隔离结构的顶表面在高度上低于基板的顶表面。至少一个电阻器图案位于至少一个隔离结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻器 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括第一区和第二区的基板；所述第一区中的所述基板上的至少一个第一栅极结构，所述至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层；所述第二区中的所述基板中的至少一个隔离结构，所述隔离结构的顶表面在高度上低于所述基板的顶表面；和所述至少一个隔离结构上的至少一个电阻器图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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