[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置及其制造方法，在覆盖熔丝而将SiON膜、SiN膜、SiO₂膜以该顺序形成后，通过蚀刻至作为蚀刻阻止膜的SiN膜，在熔丝上均一地形成所需的膜厚的SiON膜。另外，通过设置被嵌入熔丝下部的绝缘膜并且包围熔丝的外周部而形成的保护环，就可以防止水分从外部穿过熔丝切断部而浸入的情况。利用本发明可以防止在与电路连接的熔丝上的绝缘膜厚在晶片面内不均一的情况下，因激光照射强度不足而切断不充分，或因激光过度照射而产生切断至相邻的熔丝部分的问题。另外，还可以在熔丝切断后，防止水分从外部穿过切断部而浸入，对配置于下层部的膜质造成不良影响的问题。

主权项

1.一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的电路，所述电路包括金属配线；与所述电路连接的熔丝；以覆盖所述熔丝的方式形成的含有氮的氧化硅膜；配置于所述含有氮的氧化硅化膜上的蚀刻阻止膜；配置于所述蚀刻阻止膜上的绝缘膜，所述蚀刻阻止膜和所述绝缘膜在所述熔丝的一部分的上部具备露出所述含有氮的氧化硅膜的露出区域；形成于所述熔丝的下部的基底绝缘膜；及配置于所述金属配线上的焊盘部，所述焊盘部按照穿过所述含有氮的氧化硅化膜、所述蚀刻阻止膜及所述绝缘膜的方式形成，其中，所述金属配线包括第一金属层和设在所述第一配线层上的第二金属层，所述第二金属层配置在与所述熔丝相同的平面上，所述第一金属层嵌入所述基底绝缘膜中。