[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺有效
| 申请号： | 200810144966.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656240A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴亮洁;王晴 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺，包括：单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的该上表面具有两个金属垫；以及绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的该前侧面、该后侧面、该左侧面、该右侧面、及该底面。本发明还提供一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺。本发明可以得到相同的可靠度，但是尺寸较小的单一晶粒尺寸半导体元件，保护该元件不受环境影响，并节省了费用，降低工艺的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 晶粒 尺寸 半导体 元件 绝缘 被覆 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，包括：单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的上表面具有两个金属垫；以及绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、及底面。
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