[发明专利]基于附体效应补偿的传输栅电路无效
| 申请号： | 200810146192.1 | 申请日： | 2008-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101645705A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 余清榕 | 申请（专利权）人： | 创惟科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/14 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 台湾省台北县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种传输栅电路，其包含第一PMOS组件、第一NMOS组件、第二PMOS组件、第二NMOS组件以及第三PMOS组件。第一PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号，第一PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出端。第一NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号，第一NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出端。第二PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号，第二PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及第一PMOS组件的体电极。第二NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号，第二NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一PMOS组件的体电极以及输出端。第三PMOS组件的栅极耦接于输入端，第三PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一电源电压以及第一PMOS组件的体电极。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 附体 效应 补偿 传输 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于附体效应补偿的传输栅电路，其包含：一第一PMOS组件，所述第一PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号，所述第一PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出端；一第一NMOS组件，所述第一NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号，所述第一NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及所述输出端；其特征在于：所述的传输栅电路包含：一第二PMOS组件，所述第二PMOS组件的栅极耦接于所述第一控制信号，所述第二PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及所述第一PMOS组件的体电极；一第二NMOS组件，所述第二NMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信号，所述第二NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述第一PMOS组件的体电极以及所述输出端；一第三PMOS组件，所述第三PMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信号，所述第三PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一电源电压以及所述第一PMOS组件的体电极。
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