[发明专利]四氯化硅生产三氯氢硅的方法无效
| 申请号： | 200810148067.4 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101445245A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵兴华;蒲晓东;陈绍章;王岭 | 申请（专利权）人： | 四川新光硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林辉轮;熊晓果 |
| 地址： | 614000四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用SiCl4生产的SiHCl3方法，该方法具体步骤如下：第一步，对四氯化硅进行精馏提纯净化，使得四氯化硅纯度99％；第二步，对氢气进行净化，使氢气纯度达到99％以上；第三步，对净化后的四氯化硅和氢气进行混合，其中四氯化硅和氢气的比例为1mol∶2-5mol；第四步，以进气量260-530Nm3/h将混合气体通入温度为1200-1400℃和压力0.2-0.60MPa的条件下进行反应。该方法便于控制，有利于四氯化硅循环回收，非常有利于工业实施。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化 生产 三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用SiCl4生产的SiHCl3方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：第一步，对四氯化硅进行精馏提纯净化，使得四氯化硅纯度99％；第二步，对氢气进行净化，使氢气纯度达到99％以上；第三步，对净化后的四氯化硅和氢气进行混合，其中四氯化硅和氢气的比例为1mol：2-5mol；第四步，将混合气体通入温度为1200—1400℃和压力0.2—0.60MPa的条件下进行反应。
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