[发明专利]电容元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种电容元件及其制造方法，该电容元件具有高介电材料及多层垂直式平板电极的电容元件，可采用低温工艺直接制作在一晶片上而与该晶片上的主动元件整合在一起，以减少该电容元件组装及制作的成本。本发明还利用硅导孔(Through-Silicon-Via)技术在该电容元件形成垂直导线，而利于制作堆叠式电容元件，进一步提高电容。

主权项

1.一种电容元件，其特征在于，该元件包括：一半导体衬底，具有至少一主动元件；至少一电容元件，形成于所述半导体衬底中一预定区域，所述电容元件包括：一介电材料基体，位于所述半导体衬底中所述预定区域；多个第一平板电极，从所述半导体衬底的一表面垂直延伸于所述介电材料基体中而彼此平行配置；一第一共同导线，形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述多个第一平板电极；多个第二平板电极，从所述半导体衬底的所述表面垂直延伸于所述介电材料基体中，并与所述多个第一平板电极交错平行配置；及一第二共同导线，相对于所述第一共同导线而形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述多个第二平板电极。