[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810149113.2 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101388375A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 井口知洋;西内秀夫;樋口和人;木谷智之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高并且容易制造，同时不增大半导体器件的大小就能够进一步降低内部电阻的半导体器件及其制造方法。具备：半导体元件(2)、引线(3)、将半导体元件(2)的电极(2a)和引线(3)电连接起来的布线构件(4)，其中布线构件(4)至少被具有导电性的材料覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于包括：半导体元件；引线；将上述半导体元件的电极和上述引线电连接起来的布线构件，其中上述布线构件至少被具有导电性的材料覆盖。
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