[发明专利]用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810149226.2 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393203A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李文淑;赵炳玉;柳万馨;安江崇裕;夏政焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01N33/50 | 分类号： | G01N33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实例性实施方式涉及用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法。根据实例性实施方式的生物传感器包括多个绝缘膜。第一信号线和第二信号线可插入到多个绝缘膜之间。半导体纳米结构可设置在多个绝缘膜上，半导体纳米结构具有电连接到第一信号线的第一侧和电连接到第二信号线的第二侧。多个探针可耦合到半导体纳米结构。根据实例性实施方式的生物传感器可具有减少的分析时间。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 作为 晶体管 沟道 生物 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种生物传感器，其包括：多个绝缘膜；在多个绝缘膜之间的第一信号线和第二信号线；在多个绝缘膜上的半导体纳米结构，所述半导体纳米结构具有电连接到第一信号线的第一侧和电连接到第二信号线的第二侧；以及耦合到所述半导体纳米结构的多个探针。
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