[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200810149484.0 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393910A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 绪方博美 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路包括：具有内部电压线的电路块；环形轨道线，在电路块周围形成封闭环形线并提供有电源电压和参考电压之一；和多个开关块，在电路块周围沿着环形轨道线配置，该多个开关块的每个都包括：电压线段，形成部分环形轨道线；和开关，用于控制电压线段和内部电压线间的连接和断开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，包括：具有内部电压线的电路块；环形轨道线，在所述电路块的周围形成封闭环形线并提供有电源电压和参考电压之一；以及多个开关块，在所述电路块周围沿所述环形轨道线配置，所述多个开关块的每个都包括：电压线段，形成部分所述环形轨道线；和开关，用于控制所述电压线段和所述内部电压线间的连接和断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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