[发明专利]较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200810153569.6 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101429025A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;曹丽凤;张平;王洪茹;张志萍 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷，原料组分及其质量百分比含量为：Ag2O 40～45％、Nb2O5 35～46％、Ta2O5 9～25％，外加添加剂CaF2 3～7％、B2O3 2.5～8％。经配料、球磨、烘干、煅烧后合成(Nb，Ta)2O5前驱体，再经二次配料，球磨、烘干，煅烧后合成熔块Ag(Nb，Ta)O3，再于熔块中外加添加剂，球磨、烘干后制得高介低损耗介质陶瓷粉料，对陶瓷粉料造粒后压制成坯，经烧结制得高介低损耗介质陶瓷。本发明的Ag(Nb，Ta)O3陶瓷的烧结温度较低(950～1000℃)，介电常数超高(ε＞900)，同时其介电损耗较低(tanδ＜10×10-4)。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 烧结 高介低 损耗 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷，由基料Ag2O、Nb2O5和Ta2O5以及添加剂CaF2和B2O3组成，其原料组分及其质量百分比含量为：Ag2O 40～45％、Nb2O5 35～46％、Ta2O5 9～25％，外加添加剂CaF2 3～7％、B2O3 2.5～8％。
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