[发明专利]热处理方法以及热处理装置有效
申请号: | 200810161425.5 | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101399173A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 井上久司;松本俊一;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/673;F27D5/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种确保处理均匀性,并相比以往增加基板保持件搭载块数的热处理方法和热处理装置。多块被处理基板(w)沿着上下方向且以规定间隔搭载到基板保持件(10)上,将该基板保持件(10)搬入热处理炉(3)内,对被处理基板进行规定热处理。上述基板保持件(10)具有2个保持件构成体(10a)、(10b),各保持件构成体(10a)、(10b)具备:配置在同一圆周上的多根支柱(28)、设置在各支柱(28)上且支撑被处理基板(w)周边部的基板支撑部(30)。在一个保持件构成体(10a)上搭载将表面作为上表面的被处理基板,在另外一个保持件构成体(10b)上搭载将背面作为上表面的被处理基板,由此,使上下相邻的被处理基板(w)背面对背面和表面对表面交替。 | ||
搜索关键词: | 热处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种热处理方法,在基板保持件上沿上下方向以规定间隔搭载多块被处理基板,将该基板保持件搬入热处理炉内,对被处理基板进行规定的热处理,其特征在于,包括:在所述基板保持件上配置被处理基板,以使上下相邻的被处理基板背面对背面或表面对表面的工序;以及将被处理基板表面之间的间隔设定为能够确保处理均匀性的间隔,将被处理基板背面之间的间隔设定为比表面之间的间隔小的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810161425.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的制造方法
- 下一篇:控制一制程浴中制程稳定性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造