[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810161485.7 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101436633A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 塚越功二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨本良;文 琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件，包括：具有凹部的基部；设置在该凹部中的发光元件；填充在该凹部中的树脂；以及包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且被设置成封闭该凹部的开口部分。包含荧光粉的树脂层具有比填充在凹部中的树脂低的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体发光器件，包括：具有凹部的基部；设置在所述凹部中的发光元件；填充在所述凹部中的树脂；以及包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且设置成封闭所述凹部的开口部分，其中，所述包含荧光粉的树脂层具有比填充在所述凹部中的所述树脂低的热膨胀系数。
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