[发明专利]微电子器件及其制造方法

摘要

本发明涉及电子器件及其制造方法。使用联合的光刻方法同时形成小尺寸和大尺寸的沟槽电容器，其中在光掩模中的开口具有相同的尺寸和间隔。当所述光掩模中的所述开口与所述半导体衬底的一个晶面对准时，在所述半导体衬底中产生的沟槽会合并，由此形成较大的电容器。当所述光掩模中的所述开口与所述半导体衬底的另一晶面对准时，在该情况下每个沟槽与其它沟槽保持分离，由此形成较小的电容器。

主权项

1. 一种同时制造合并的沟槽和间隔开的沟槽的方法，所述合并的沟槽和间隔开的沟槽从衬底的主表面向下延伸到单晶半导体衬底中，所述主表面限定了与所述半导体衬底的给定晶向对准的平面，所述方法包括以下步骤：在覆盖所述衬底的掩模层中构图第一间隔开的开口和第二间隔开的开口，所述第一和第二开口中的每一个都具有给定的长度、给定的宽度，并且所述第一开口的邻近的开口的中心之间的距离和所述第二开口的邻近的开口的中心之间的距离均为X，所述第一开口的所述中心与所述衬底的第一晶向对准，并且所述第二开口的所述中心与不同于所述第一晶向的所述衬底的第二晶向对准；以及根据所述第一和第二开口同时蚀刻所述衬底以限定合并的第一沟槽和间隔开的第二沟槽，所述合并的第一沟槽共同限定了单个的内部体积，以及所述间隔开的第二沟槽每一个都限定了单独的分离的内部体积。