[发明专利]TFT阵列电路板及其制造方法

摘要

在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列电路板，包括：彼此连接的第一栅极件和第二栅极件；形成在所述第一栅极件和所述第二栅极件上的栅极绝缘层；分别形成在所述栅极绝缘层上的第一半导体件和第二半导体件；彼此连接且分别位于所述第一半导体件和所述第二半导体件附近的第一源极件和第二源极件；分别位于所述第一半导体件和所述第二半导体件附近，且分别与所述第一源极件和所述第二源极件相对的第一漏极件和第二漏极件；以及连接至所述第一漏极件和所述第二漏极件的像素电极，其中，所述第一栅极件、所述第一半导体件、所述第一源极件、以及所述第一漏极件形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极件、所述第二半导体件、所述第二源极件、以及所述第二漏极件形成第二薄膜晶体管。