[发明专利]TFT阵列电路板及其制造方法有效
申请号: | 200810161853.8 | 申请日: | 2003-11-20 |
公开(公告)号: | CN101369588A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 卓英美;白承洙;尹珠爱;金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;尚志峰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线,其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层,形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线,并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层,使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间,然后进行分割曝光。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 电路板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列电路板,包括:彼此连接的第一栅极件和第二栅极件;形成在所述第一栅极件和所述第二栅极件上的栅极绝缘层;分别形成在所述栅极绝缘层上的第一半导体件和第二半导体件;彼此连接且分别位于所述第一半导体件和所述第二半导体件附近的第一源极件和第二源极件;分别位于所述第一半导体件和所述第二半导体件附近,且分别与所述第一源极件和所述第二源极件相对的第一漏极件和第二漏极件;以及连接至所述第一漏极件和所述第二漏极件的像素电极,其中,所述第一栅极件、所述第一半导体件、所述第一源极件、以及所述第一漏极件形成第一薄膜晶体管,所述第二栅极件、所述第二半导体件、所述第二源极件、以及所述第二漏极件形成第二薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的