[发明专利]半导体处理用的成膜装置

摘要

本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和排出反应室内气体的排气系统。清洁气体供给系统包括在上端具有在反应室的底部附近指向上方的气体供给口，气体供给口位于比支承部件的支承层的最下层还靠下的位置。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：以在上下设置间隔而进行层叠的状态容纳多个被处理基板的方式构成的反应室；具有按照在所述反应室内支承所述被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；配置在所述反应室的周围的用于加热所述被处理基板的加热器；将成膜气体供给所述反应室的成膜气体供给系统，所述成膜气体供给系统包括按照遍及所述支承部件的所述支承层的全体的方式隔开规定间隔形成有多个气体喷射孔的气体分散喷嘴；供给对附着在所述反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和对所述反应室内进行排气的排气系统，所述排气系统包括配置在隔着所述支承部件与所述气体分散喷嘴相对的位置上的排气口，其中，所述清洁气体供给系统包括在上端具有在所述反应室的底部附近指向上方的气体供给口的气体喷嘴，所述气体供给口位于比所述支承部件的所述支承层的最下层还靠下的位置。