[发明专利]晶片水平测量功率MOS门器件栅电阻的改进校准法有效
| 申请号： | 200810165900.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447483A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 安荷叭剌;雷燮光;伍时谦 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/544;H01L21/66;G01R27/16;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种校准半导体功率器件栅电阻测量的方法，该方法包括在邻近多个半导体功率芯片的半导体晶片测试区上构建一个RC网络和测量该RC网络的电阻和电容为进行晶片水平半导体功率器件测量校准做准备的步骤。该方法还进一步包括将探针板与半导体晶片上的一组接触点连接以便首先进行晶片水平测量校准、随后对半导体功率芯片进行栅电阻Rg测量的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 水平 测量 功率 mos 器件 电阻 改进 校准 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体晶片，其特征在于，包括：位于所述半导体晶片测试区上的一种晶片水平测量校准电路，所述半导体晶片邻近多个半导体功率芯片。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
