[发明专利]基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序有效
申请号: | 200810167416.7 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101399176A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 竹永裕一;山口达也;王文凌;高桥敏彦;米泽雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括:在多个基板上进行成膜的基板处理部;取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部;和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置-成膜量模型的存储部。根据上述配置-成膜量模型,通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内,当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时,通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 装置 控制 方法 程序 | ||
【主权项】:
1. 一种基板处理系统,其特征在于,包括:收纳包括被叠层的未处理基板和已处理基板的多个基板,并对该多个基板进行加热处理和气体供给处理,在所述多个基板上进行成膜的基板处理部;取得与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式的信息的取得部;存储与配置模式对基板的成膜量施加的影响相关的配置-成膜量模型的第一存储部,其中,所述配置模式为与所述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置相关的配置模式;根据来自所述第一存储部的配置-成膜量模型,对在所述取得部取得的配置模式下的基板的预测成膜量进行计算的计算部;判断所述计算出的预测成膜量是否在规定范围内的判断部;和当判断所述计算出的预测成膜量在规定范围内时,控制所述基板处理部使之处理基板的控制部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810167416.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子器件及其制造方法
- 下一篇:旋转阳极X射线管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造