[发明专利]基板处理装置和基板处理方法及存储介质有效
申请号: | 200810168614.5 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101359590A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 工藤裕幸;森英人;冈田慎二;鹤田丰久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置和方法及存储介质,防止来自处理室的气体泄漏且不密闭处理室,并抑制对基板背面侧气体的迂回。通过由盖体覆盖容器本体上部侧开口形成处理室,从处理室中央上部对载置台上的晶片W供给处理气体,另外,从晶片W外侧对处理室内部通过处理气体排气路径排气。此外,从吹扫气体供给路径对在容器本体的周边部和盖体的周边部之间形成的缓冲室供给吹扫气体。处理气体的供给流量被设定得小于处理气体排气路径中的排气流量,利用由其流量差产生的处理室内的负压,缓冲室内的吹扫气体通过容器本体和盖体之间的间隙组成的吹扫气体供给孔被引入到处理室。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:容器本体,该容器本体配置有基板的载置台,并且上部侧开口;盖体,在其周边部分通过间隙靠近或接触该容器本体的周边部分的状态下覆盖该容器本体,从而划分形成基板的处理室;处理气体供给部,该处理气体供给部从所述处理室的中央上部向所述载置台上的基板供给处理气体;处理气体排气路径,该处理气体排气路径用于在将处理气体从该处理气体供给部供给到处理室内部时,从所述载置台上的比基板更靠外侧的位置对处理室的内部进行排气;吹扫气体供给路径,该吹扫气体供给路径在所述容器本体的周边部分和所述盖体的周边部分之间,沿着所述处理室的周向开口;流出路径,该流出路径沿着处理室的周向形成,以使从该吹扫气体供给路径供给到所述周边部分间的吹扫气体流出到处理室的外部;以及气流流通用的间隙,该气流流通用的间隙在所述容器本体的周边部分和盖体的周边部分之间,从所述吹扫气体供给路径的开口部遍及至处理室的内部,并且沿着处理室的周向形成,其中,来自所述处理气体供给部的处理气体的供给流量比处理气体排气路径中的排气流量小,利用这些流量之差产生的处理室内部的负压,将从所述吹扫气体供给路径供给的吹扫气体通过所述气体的流通用的间隙而被引入到处理室内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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