[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810168907.3 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399236A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 小林信次;富泽勇 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，解决在具有密封环(sealring)的半导体芯片的形成中，在旋涂光致抗蚀剂等之际，容易因密封环拐角而产生条痕的问题。将布线金属层和接触件层叠，形成包围半导体芯片(20)的元件形成区域(22)的密封环构造(28)。密封环构造(28)的平面形状是在与半导体芯片(20)的形状相对应的矩形的基础上，将该矩形的拐角部分(60)倒角后的形状。即，密封环构造(28)沿着倒角后的矩形周围配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有：元件形成区域，配置于半导体基板上；和密封环构造，由在所述半导体基板上层叠的金属件构成，包围所述元件形成区域；所述密封环构造沿着倒角后的平面形状的周围配置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810168907.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
