[发明专利]用以降低邻近栅极间的干扰的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用以降低邻近栅极间的干扰的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体基板，该半导体基板具有有源区，该有源区具有延伸横过该有源区的多个凹陷的沟道区以及也延伸横过该有源区的多个结区。栅极形成于有源区的凹陷的沟道区内和上方。器件隔离结构形成于半导体基板内以界定有源区，且该器件隔离结构具有凹陷部分，各凹陷部分形成为靠近有源区的结区。栈塞形成于有源区内的每一个结区上方，且延伸填充有源区外部的器件隔离结构的凹陷部分。半导体器件抑制邻近栅极所造成的干扰，以减小单元晶体管的漏电流。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板具有有源区，所述有源区具有延伸横过所述有源区的多个凹陷的沟道区以及也延伸横过所述有源区的多个结区，其中所述有源区中的任何两个凹陷的沟道区或者任何两个结区不邻接；栅极，形成于所述有源区的凹陷的沟道区内和上方；器件隔离结构，形成于所述半导体基板内以界定所述有源区，其中所述器件隔离结构具有凹陷部分，所述凹陷部分的每一个形成于所述有源区的结区的附近；以及栈塞，所述栈塞的每一个形成于所述有源区的每一个结区上方，并延伸以填充所述有源区外部的所述器件隔离结构的凹陷部分。