[发明专利]紫外线照射方法及使用了该方法的装置无效
| 申请号： | 200810170201.0 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409225A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 山本雅之;长谷幸敏;松下孝夫;金岛安治 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外线照射方法及使用了该方法的装置，利用紫外线发生装置对保护带表面照射紫外线。另外，利用照射枪使紫外线强度高于紫外线发生装置的紫外线的强度形成点径状而照射到晶圆边缘。此时，由控制装置控制紫外线强度和保持台的旋转速度，使得晶圆边缘部分的每单位面积的紫外线照射量与保护带的粘贴面的每单位面积的紫外线照射量相等。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 照射 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种紫外线照射方法，对粘贴在半导体晶圆的表面上的紫外线固化型保护带进行剥离处理之前，对保护带照射紫外线来降低其粘合力，上述方法包括如下过程：对上述保护带粘贴面和半导体晶圆的周缘部照射紫外线，使向该周缘部照射的紫外线的照射强度高于向保护带粘贴面照射的紫外线的照射强度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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