[发明专利]硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法有效
| 申请号： | 200810170343.7 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101692350A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型与非门闪存的擦除法，包括由栅极施加一初始电压至存储单元的衬底一预定期间，以降低存储单元的阈值电压。此外，该方法也包括由栅极施加一连串的电压至存储单元的衬底，以进一步降低存储单元的阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 氮化物 与非门 闪存 除法 | ||
【主权项】：
一种操作一介电电荷捕捉存储单元的方法，该介电电荷捕捉存储单元具有一阈值电压且包括一衬底，该衬底包括一信道区、位于该信道区上的一介电电荷捕捉结构以及位于该介电电荷捕捉结构上的一栅极，其特征在于，该方法包括：由该栅极施加一初始电压至该存储单元的该衬底一预定期间，以降低该存储单元的该阈值电压；以及由该栅极施加一连串的电压至该存储单元的该衬底，以进一步降低该存储单元的该阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。
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