[发明专利]集成电路结构的形成方法有效
| 申请号： | 200810170436.X | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101609804A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 杨固峰;邱文智;吴文进;宋明忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一底部晶片，包括多个底部半导体芯片；提供多个上裸片，所述多个裸片接合至所述多个底部半导体芯片；形成一包围环于该底部晶片之上，且靠近该底部晶片的一外围；涂覆一保护材料以填充所述多个上裸片的间隙，其中该保护材料的上表面、所述多个上裸片的上表面与该包围环的上表面等高；形成一平坦介电层于所述多个上裸片与该保护材料之上；以及形成一导电特征于该平坦介电层中，其中该导电特征电性连接到所述多个上裸片与所述多个底部半导体芯片至少之一，且该导电特征的上表面与该平坦介电层的上表面等高。本发明可达到降低电阻、降低工艺成本以及改善可靠度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构的形成方法，包括下列步骤：提供一底部晶片，包括多个底部半导体芯片；提供多个上裸片，所述多个上裸片接合至所述多个底部半导体芯片；形成一包围环于该底部晶片之上，且靠近该底部晶片的一外围；涂覆一保护材料以填充所述多个上裸片的间隙，其中该保护材料的上表面、所述多个上裸片的上表面与该包围环的上表面等高；形成一平坦介电层于所述多个上裸片与该保护材料之上；以及形成一导电特征于该平坦介电层中，其中该导电特征电性连接到所述多个上裸片与所述多个底部半导体芯片至少之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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