[发明专利]高纯钽及如溅射靶的含高纯钽的制品有效

专利信息
申请号: 200810171024.8 申请日: 1999-11-24
公开(公告)号: CN101407881A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 克里斯托弗·A·米卡卢克;小詹姆斯·D·马圭尔;马克·N·卡切克;小路易斯·E·休伯 申请(专利权)人: 卡伯特公司
主分类号: C22C27/02 分类号: C22C27/02;C23C14/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋 莉
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述了高纯钽和含有高纯钽的合金。钽金属及其合金具有这样的织构:任意5%厚度增量内的(100)强度低于约15random或(111)∶(100)强度比的对数大于约-4.0;或者具有这些性质的任意组合。本发明还描述了由钽金属制成的物品和元件,包括但不限于溅射靶、电容器外壳、电阻膜层、导线等。该高纯钽优选具有精细和均匀的微观结构。
搜索关键词: 高纯 溅射 制品
【主权项】:
1.一种钽金属,其具有a)平均晶粒大小50微米或更低;和b)(100)极像图中心峰强度等于或低于15random的钽金属厚度织构;和c)大于-4.0的(111)∶(100)中心峰强度比的对数。
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