[发明专利]形成至少一层介电层的方法和系统无效
| 申请号： | 200810171147.1 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101425458A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 夏立群;米哈拉·鲍尔西努;维克多·恩古源;德里克·R·维迪;伊沙姆·迈'萨德;杨海春;卢欣亮;高乾泰;张梅 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供形成至少一层介电层的方法和系统。其中一种结构的形成方法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 至少 一层 介电层 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种结构的形成力法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
