[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810172859.5 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101431147A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 松崎永二;石井良典;加濑悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机EL显示装置及其制造方法。在形成于电路板(101)上的电路形成部(102)之上形成有有机EL元件部(1000)。有机EL元件部(1000)由包含SiNxOy膜的保护层(113)覆盖。SiNxOy的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm-1更低能量一侧存在，在约870cm-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上；具有如下的红外吸收特性，即在2000～4000cm-1区域的吸收峰值的强度是Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5％以下。据此，能取得具有优异的水分阻止特性的保护膜，能提高有机EL显示装置的寿命特性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种有机EL显示装置，通过具有SiNxOy膜的保护层覆盖着有机EL元件，该有机EL元件是在形成有电路的第一衬底上依次层叠第一电极、包含发光层的有机层、以及第二电极而形成的，该有机EL显示装置的特征在于：所述SiNxOy膜与所述第二电极接触；所述SiNxOy膜的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm-1更低能量一侧存在，在约870cm-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是所述Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上；所述SiNxOy膜具有在2000～4000cm-1区域的吸收峰值的强度为所述Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5％以下的红外吸收特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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