[发明专利]制造快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200810173066.5 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447422A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造快闪存储器件的方法以及快闪存储器件，其中在半导体衬底上和/或之上形成隧道氧化物层和第一多晶硅图案。第二多晶硅图案和第三多晶硅图案形成在第一多晶硅图案的侧壁上和/或之上，介电层和多晶硅层形成在所述第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第三多晶硅图案上和/或之上。实施蚀刻工艺以形成隧道氧化物层图案、介电图案和第四多晶硅图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：提供半导体衬底；然后在所述半导体衬底之上形成隧道氧化物层；然后在所述隧道氧化物层之上形成具有侧壁的第一多晶硅图案；然后在所述第一多晶硅图案的侧壁之上形成第二多晶硅图案；然后在所述第一多晶硅图案的侧壁之上形成第三多晶硅图案；然后在所述第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第三多晶硅图案之上形成介电层；然后在所述介电层之上形成多晶硅层；然后实施蚀刻工艺以形成隧道氧化物层图案、介电图案和第四多晶硅图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
