[发明专利]磁耦合器有效
| 申请号： | 200810173166.8 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101499357A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 原谷进;山口仁 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;G01R15/20;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层(L1)上卷绕的薄膜线圈(20)；配置在第二层L2上，检测由流过薄膜线圈(20)的信号电流Im产生的感应磁场Hm的第一MR元件(31)；以及配置在该第一MR元件(31)近旁的由软磁性材料构成的磁轭(41、42)。第一MR元件(31)配置在第二层(L2)中与薄膜线圈(20)的直线区域(R21)在层叠方向上对应的位置。磁轭(41、42)在第二层(L2)上夹着第一MR元件(31)而配置在薄膜线圈(20)的卷绕中心侧和卷绕外周侧这两侧。于是，可以抑制感应磁场Hm的强度下降，并使感应磁场Hm成为更平坦的强度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合器 | ||
【主权项】：
1. 一种磁耦合器，其特征在于，设有：在第一层上卷绕的薄膜线圈；设于与所述第一层不同的第二层上，检测由流过所述薄膜线圈的电流产生的感应磁场的磁阻效应元件；以及在所述薄膜线圈的径向上与所述磁阻效应元件相邻而配置的磁轭。
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