[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示装置

摘要

本发明的标题是“薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示装置”，其中包括如下工序：形成由第1导电膜(10)构成的图案；依次层叠栅绝缘膜(2)、半导体层(4)及光刻胶层；形成沿厚度方向具有台阶构造的光刻胶图案(41)；利用光刻胶图案(41)形成第1导电膜(10)的露出区及半导体层(4)的图案；在第1导电膜的露出区中形成由与第1导电膜(10)接触的第2导电膜(20)构成的图案；用上层膜覆盖第2导电膜(20)；以及在上述第2导电膜(20)的上层形成第3导电膜(30)。薄膜晶体管的栅电极(16)用第1导电膜(10)形成，源电极(25)及漏电极(26)用第2导电膜(20)形成，像素电极用第3导电膜(30)形成，第2导电膜(20)用上层膜覆盖。

主权项

1. 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在基板上形成由第1导电膜构成的图案；在所述第1导电膜上依次层叠栅绝缘膜、半导体层及光刻胶层；在所述光刻胶层的上部配置光掩模，用照相制版工艺形成沿厚度方向具有台阶构造的光刻胶图案；利用所述光刻胶图案，形成所述第1导电膜的露出区及半导体层的图案；在所述第1导电膜的露出区形成由与所述第1导电膜接触的第2导电膜构成的图案；以及在所述第2导电膜的上层形成由层间绝缘膜及第3导电膜构成的各图案，所述第1导电膜与所述第2导电膜具有导电膜连接区，该导电膜连接区包含它们经由所述栅绝缘膜上形成的开口部直接接触的区域，并包含由上层膜覆盖所述第2导电膜的区域，薄膜晶体管的栅电极用所述第1导电膜形成，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极用所述第2导电膜形成，像素电极用所述第3导电膜形成。