[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 200810175424.6 | 申请日: | 2008-11-12 |
公开(公告)号: | CN101499408A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 孙亮;羽方满之;厨子卓哉;篠原正树;樋口尚 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐 恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种基板处理装置以及基板处理方法,能够对基板面更加均匀地实施处理,并能够提高处理能力。基板处理装置(1)具有:液体喷嘴(16),其一边水平搬送基板(2)一边在其上表面形成显影液的液层(X);除去单元,其用于除去形成于基板(2)上的液层(X)。该除去单元包括:风刀(18),其设置成横跨基板(2),用于向该基板(2)的上表面喷出空气;消波构件(20),其配置在比该风刀(18)的空气喷出位置更邻接于基板(2)的后端侧的位置上,用于抑制喷出所述空气时所产生的液层(X)上的波纹。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种基板处理装置,其特征在于,具有除去单元,该除去单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动,伴随着所述相对移动,从基板的一端侧向另一端侧除去在所述基板的上表面形成的处理液的液层,所述除去单元具有:流体供给部,其为了除去所述液层,在与所述相对移动的方向交叉的方向上横跨基板的整个宽度向基板上表面喷出调整过流量的除层用流体;消波部,其相对于所述基板上的所述除层用流体的供给位置,在位于与该供给位置的所述相对移动方向上的上游侧相邻的位置上,与基板上表面侧仅分离与所述液层相对应的距离并与基板相对配置,用于抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所述液层的波纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造