[发明专利]制造反向T型浮动栅极存储器的方法有效
| 申请号： | 200810175433.5 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101436568A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;施彦豪;薛铭祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造反向T型浮动栅极存储器的方法，因为增加该浮动栅极表面积，而使该浮动栅极存储装置具有一较高的耦合率。本发明还公开了一种具有非矩型横截面浮动栅极的存储装置，该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或一双反向T型。该存储装置具有一横截面形状的浮动栅极，像是一反向T型，如此使得具有一顶轮廓为一非平坦的区段。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 反向 浮动 栅极 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用来形成具有一存储装置的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：提供一半导体衬底；在该衬底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第一导电层；擦除部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二个彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底；在该多个浅沟槽内形成一绝缘层以填充该多个浅沟槽，并突出于该第一导电层的一顶表面，以提供至少二个绝缘突出部位；沿着该多个绝缘突出部位的侧壁形成一侧壁绝缘体；以及在该第一导电层上形成一第二导电层以填充至在侧壁绝缘体之间的缺口以形成一反向T型导体，该反向T型导体包含该第一导电层的一部位以及该第二导电层的一部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
