[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810176285.9 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101465405A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金明洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种可以采用热电概念运行的半导体器件。根据本发明的实施例，该半导体器件可以包括：在衬底上由金属材料线所形成的源极/漏极导体；由第二金属材料线所形成的第一栅极导体；以及由第三金属材料线所形成的第二栅极导体，其中将第一栅极导体设置为临近位于源极/漏极导体一端的源极/漏极导体的第一部分，并且将第二栅极导体设置为临近位于源极/漏极导体的另一端的源极/漏极导体的第二部分，并与第一栅极导体间隔设置。通过将电流施加至第一栅极导体和第二栅极导体，可将电流从源极/漏极导体的一端提供至源极/漏极导体的另一端。本发明可简化半导体器件的制造工艺，并在无注入层的条件下实现高集成度，以抑制其性能下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：源极/漏极导体，在衬底上由金属材料线形成；第一栅极导体，由第二金属材料线形成，其中将该第一栅极导体设置为临近位于该源极/漏极导体一端的该源极/漏极导体的第一部分；以及第二栅极导体，由第三金属材料线形成，其中将该第二栅极导体设置为临近位于该源极/漏极导体的另一端的该源极/漏极导体的第二部分。
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