[发明专利]制造LCD驱动IC的方法无效
| 申请号： | 200810176447.9 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101447455A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 郑冲耕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/51;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种制造LCD驱动IC的方法。该方法包括：通过顺序形成多个栅极绝缘膜和栅电极来在半导体衬底上形成多个栅极图样；顺序沉积覆盖栅电极的多个隔离体材料层；通过在多个隔离体材料层上实施凹蚀工艺来在栅电极的侧壁上形成隔离体以便最下隔离体材料层在半导体衬底上残留；以及通过刻蚀最下隔离体材料层来控制最下隔离体材料层的厚度(或去除最下隔离体材料层)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 lcd 驱动 ic 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造LCD驱动IC的方法，包括：通过在半导体衬底上顺序形成多个栅极绝缘膜和栅电极来在所述半导体衬底上形成多个栅极图样；顺序沉积覆盖所述栅电极的多个隔离体材料层；通过在所述多个隔离体材料层上实施凹蚀工艺来分别在所述栅电极的侧壁上形成隔离体以便最下隔离体材料层在所述半导体衬底上残留；以及刻蚀所述最下隔离体材料层以去除所述最下隔离体材料层或控制所述最下隔离体材料层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
